Un diodo semiconductor es un dispositivo de la electrónica, conformado por un par de terminales que conducen la corriente eléctrica en una orientación. En este artículo encontraras una breve descripción del mismo y mucho más.
¿Que es un Diodo Semiconductor?
¿Que es un Diodo Semiconductor?Un Diodo semiconductor es un tipo de diodo, que contiene una «unión p-n» formada de materiales destinados a la conducción y dopados de una forma variante. Es un elemento eléctrico que no está dispuesto en serie y de doble extremo, donde el terminal unido a la lámina «p» (que es positivo) se le conoce como ánodo y lamina «n» (negativa) es conocida como cátodo.
Este componente eléctrico es usado esencialmente gracias a su potestad de hacer que la corriente eléctrica fluya en una única dirección (del ánodo al cátodo) luego de polarizar hacia adelante la dicha «unión p-n» con el voltaje eléctrico positivo.
Sin embargo, en la orientación contrapuesta (polarización inversa de la unión «p-n» con el voltaje eléctrico negativo) se puede inferir que en el diodo semiconductor perfecto no pasara la corriente eléctrica. Esta es el motivo por el cual el diodo semiconductor se describe a menudo como la «válvula eléctrica», que puede pasar o encerrar el flujo de la corriente eléctrica.
El diodo semiconductor es el dispositivo de conducción más simple y se puede encontrar en casi cualquier circuito y Conexiones Eléctricas. Los diodos se fabrican con silicio y otros compuestos químicos (los elementos más comunes). La estructura de los diodos están separadas por una barrera. Esta barrera cuenta con 0.4 voltios en algún diodo de 0.8 voltios en el diodo de silicio.
¿Cómo funciona un Diodo Semiconductor?
La lámina N del diodo tiene electrones libres y la lámina P del diodo tiene orificios libres (no hay electrones). Cuando se aplica un voltaje positivo a la lámina P y un voltaje negativo a la lámina N, los electrones en la lámina N son enviados hacia la lamina P y los electrones pasan a través del elemento P más allá de los límites del semiconductor.
Del mismo modo, los orificios en el elemento P se acomodan, con un voltaje negativo, hacia el lado del elemento N. Luego los orificios traspasan el material N. Cuando se aplica un voltaje positivo a la lámina N y un negativo a la lámina P, los electrones en la capa P se aglomeran a la capa N y los orificios de la capa N se aglomeran en la capa P. En este caso, los electrones en el semiconductor no se mueven y la corriente eléctrica no fluye.
Si se emplea un potencial exterior a los terminales de la alianza PN, trastornará el potencial entre las regiones P y N. Esta diferencia viable puede alterar el flujo de los acarreadores mayoritarios, de modo que la unión PN puede emplearse como una circunstancia para la difusión de electrones y orificios.
Si el voltaje aplicado reduce lo amplio de la lámina de agotamiento, entonces se supone que el diodo está en polarización inmediata y si el voltaje aplicado se acrecienta lo amplio de la capa de agotamiento, entonces se supone que el diodo está en polarización inversa.
Si los terminales del diodo de unión están en cortocircuito, pocas cargadoras (agujeros) de carga mayoritaria en el lado P con energía suficiente para sobresalir del potencial recorrido de barrera a través de la zona de agotamiento. Por lo tanto, con la ayuda de orificios, la corriente comienza a fluir en el diodo y se conoce como corriente directa.
De manera similar, los orificios en la lámina N se agitan a través de la zona de agotamiento en dirección reversa y el flujo formado de esta manera se designa corriente inversa. La barrera potencial se opone a la migración de electrones y orificios a través de la unión y permite que los portadores de carga minoritarios se trasladen a través de la unión PN.
Cómo resultado de esto, se instituye un estado de equilibrio cuando los portadores de carga mayoritarios tienen la misma cantidad a ambos lados de la alianza y cuando los portadores de carga minoritarios se agitan en orientaciones opuestas. Una corriente neta cero fluye en el circuito y se dice que la unión está en equilibrio eficiente.
Al aumentar la temperatura de los semiconductores, se han formado continuamente portadores de carga minoritarios y, por lo tanto, la corriente de escape comienza a incrementarse. En general, no tiene lugar la conducción de corriente eléctrica porque no hay una fuente externa conectada a la unión PN.
Los conductores se pueden dopar con elementos para que tengan un exceso de electrones desplazables, generalmente conocidos como una región negativa o de naturaleza N. Además, se pueden dopar con elementos que crean un exceso de agujeros que absorben fácilmente estos electrones, generalmente conocidos como una región positiva o de tipo P.
Las regiones negativas y positivas del diodo también son el cátodo y el ánodo del componente respectivamente. Las diferencias entre estos dos materiales y sus interacciones en distancias muy cortas dan como resultado un diodo cuando se unen los dos tipos.
Unir estos dos tipos crea la unión p-n, y la zona entre los dos lados se llama zona de agotamiento, ya que los elementos de la zona de tipo N se transmiten y llenan algunos de los orificios en la zona P. Esto genera iones de carga negativa en la zona tipo P y depone iones positivos en la zona de tipo N.
En la actualidad existen otros tipos de diodos que acarrean a tensiones opuestas, es decir condensados recíprocamente y estos son los llamados diodos zener. Otro tipo de diodos son los Diodo Led, que emiten luz cuando están condensados de forma directa.
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